طراحی یک تقویت کننده عملیاتی c‏mos با توان مصرفی کم با استفاده از تکنیک راه اندازی از طریق بدنه

Authors

مریم قدیری مدرس

کارشناسی ارشد - مهندسی برق الکترونیک، هنرآموز آموزش و پرورش ناحیه 4 اصفهان

abstract

در این مقاله برآنیم، که تقویت کننده هدایت انتقالی (ota1) در تکنولوژی cmos را از طریق بدنه (bulk driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. ota یکی ازساختارهای بنیادی تقویت کننده هاست. در دهه ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به دنبال طرحهایی با ولتاژ تغذیه کم و توان مصرفی پایین می باشند،که دراین مقاله نمونه ای ازآن طراحی شده است. تقویت کننده هدایت انتقالی طراحی شده، دارای پهنای باند بهره واحد mhz 1/26 می باشد. این پهنای باند به ازای بهره db 4/17 دریافت می شود، ولتاژ منبع تغذیه آن 8/0 ولت dc است و توان مصرفی در این مدار 25/59 میکرو وات می باشد که به میزان قابل توجهی کاهش یافته است. این نتایج در تکنولوژی 18/0 میکرون در نرم افزارhspice شبیه سازی شده است وآنالیز آنها قابل مشاهده می باشد

Upgrade to premium to download articles

Already have an account?login

similar resources

طراحی یک تقویت کننده عملیاتیCMOS با توان مصرفی کم با استفاده از تکنیک راه اندازی از طریق بدنه

در این مقاله برآنیم، که تقویت‌کننده هدایت انتقالی (OTA1) در تکنولوژی CMOS را از طریق بدنه (Bulk Driven) راه اندازی کنیم. با این روش به مدارهایی با توان مصرفی پایین دست می‌یابیم که با توجه به پهنای باند مناسب آن، برای کاربردهای فرکانس بالا در وسایل مخابراتی بی‌سیم و لوازم پزشکی و... قابل استفاده است. OTA یکی ازساختارهای بنیادی تقویت‌کننده‌هاست. در دهه‌ی اخیر، طراحان مدارهای آنالوگ به ...

full text

طراحی یک تقویت کننده عملیاتیCMOS با توان مصرفی کم با استفاده از تکنیک راه اندازی از طریق بدنه

full text

طراحی یک تقویت کننده عملیاتیcmos با توان مصرفی کم با استفاده از تکنیک راه اندازی از طریق بدنه

full text

طراحی تقویت کننده کم نویز و توان مصرفی کم با ساختار استفاده مجدد از جریان برای کاربرد های بلوتوث

در این طراحی توان مصرفی برابر p_dis=774?w، عددنویز معادل nf=0.93db، پارامتر های پراکندگی برابراند با s_11=-28.6db ، s_22=-17.6db ، s_21=28.2db و s_12=-64.6db ، بهره ولتاژ در خروجی معادل a_v=22.2db است و معیار خطینگی مدارiip_3=-12dbm و عدد شایستگی بدست آمده معادل fom=520?mw?^(-1) است.

طراحی و پیاده سازی یک رگولاتور ولتاژ با افت کم و خروجی تثبیت شده با استفاده از راهکار تغذیه بدنه

در این مقاله، طراحی و پیاده سازی رگولاتورهای ولتاژ با افت کم و تغییرات خروجی بسیار کوچک را با استفاده از راهکارهای نوینی به انجام رسانیده ایم. در ساختار مداری رگولاتور، برای اولین بار از دو راهکار تغذیه بدنه و استفاده از مرجع ولتاژ متغیر استفاده شده است. تغذیه اثر بدنه، با هدف افزایش هر چه بیشتر بهره حلقه رگولاسیون و استفاده از مرجع ولتاژ متغیر، با هدف تثبیت بیشتر ولتاژ خروجی و افزایش نسبت حذف...

full text

طراحی یک تقویت کننده عملیاتی باند وسیع cmos

تقویت کننده های عملیاتی از جمله مهمترین و پرکاربردترین بلوکها در مدارهای آنالوگ می باشند. مشخصات زمانی و فرکانسی تقویت کننده های عملیاتی، ضمن ارتباط تنگاتنگ و نزدیکی که با هم دارند، هر یک به نحوی تعیین کننده عملیات cmos است که مشخصات زمانی آن با دقت مورد بررسی قرار گرفته است . نویز، به عنوان یکی از مشخصات حائز اهمیت در مدارهای مجتمع آنالوگ ، مطرح می باشد. در این پایان نامه، الگوریتمی به منظور ب...

15 صفحه اول

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}

Journal title:

روش های هوشمند در صنعت برق

جلد ۶، شماره ۲۳، صفحات ۳۹-۴۴

Keywords

راه اندازی از طریق بدنه اثر بدنه توان پایین .ota

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com